2026-06-11 20:14:58 来源:irb虽然三星电子的因良延误10纳米级第七代DRAM(即1d DRAM)已经完成了预生产批准(PRA)流程,但是率不量产据韩媒《朝鲜日报》报道,三星最终还是达标湖南消防 新闻网叫停了量产计划。

1d DRAM是星叫三星将用于第九代高带宽内存HBM5E的关键芯片,虽然当前的计划1c DRAM覆盖了第六代到第八代内存(HBM4、HBM4E、因良延误HBM5),率不量产工艺也十分成熟。达标但HBM5E需要的星叫湖南消防 新闻网是更强大的性能,用1c DRAM可能会因为物理极限而产生瓶颈,计划所以需要容量更大、因良延误速度更快的率不量产1d DRAM来顶上。

三星在GTC 2026上展示的达标HBM4E
据悉,三星原计划在今年一季度进行1d DRAM的星叫试产,但是计划卡住三星的还是良率这个问题。三星管理层在评估了情况之后,认为工艺难度呈指数型增长,担心良率不及预期将导致投资回报率下降。而且据消息人士补充称,目前也没有客户对1d DRAM表现出意向,所以管理层决定无限期推迟量产。这良率难道要成为继电池之后的第二个“心魔”?

《朝鲜日报》称,半导体行业是良率定生死的行业,1%的良率变动就关系到数万亿韩元(1万亿韩元=46.2亿人民币)的利润,三星在这个节骨眼下选择谨慎对待也就不无道理了,原安排在1d DRAM项目组的400多人都已经停工。至于何时复工,那起码也得等到良率达标为止。 受此影响,HBM5E或许也要延期了。
三星的这个决定也加剧了内部的危机感,因为据称SK海力士在1d DRAM上的进展相对更加顺利。业内人士称,三星去年在1c DRAM和1d DRAM同时发力的路线是错误的,还不如集中力量怼其中一个方向。三星这个选错路线的传统艺能也是没谁了。
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